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资料编号:323293
 
资料名称:FDD6612A
 
文件大小: 122.79K
   
说明
 
介绍:
30V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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fdd6612a/fdu6612a rev.e(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率(便条 2)
W
DSS
流-源 avalanche 活力 单独的 脉冲波, v
DD
= 27 v, i
D
=10 一个 51 mJ
I
AR
流-源 avalanche 电流 10 一个
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, I
D
= 250
µ
一个
30 V
BVDSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个,关联 至 25
°
C
25
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, V
GS
= 0 v 1
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏
V
GS
=
±
20 v, V
DS
= 0 v
±
100
nA
在 特性 (便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, I
D
= 250
µ
一个
1 2.0 3 V
Vgs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个,关联 至 25
°
C
–5.1
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, I
D
= 9.5 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 8 一个
V
GS
= 10 v, I
D
= 9.5 一个, t
J
=125
°
C
15
20
23
20
28
33
m
g
FS
向前跨导 V
DS
= 5 v, I
D
= 9.5 一个 28 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 660 pF
C
oss
输出 电容 170 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
90 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15mv, f = 1.0 mhz 2.3
切换 特性 (便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 9 18 ns
t
r
turn–on 上升 时间 5 10 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 24 38 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, R
GEN
= 6
4 8 ns
Q
g
总的 门 承担 6.7 9.4 nC
Q
gs
gate–source 承担 2.1 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= 15 v, I
D
= 9.5 一个,
V
GS
= 5 v
2.7 nC
fdd6612a/fdu6612a
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