六月 2001
2001 仙童 半导体 公司
fdfs2p106a rev b(w)
FDFS2P106A
整体的 60v p-频道 powertrench
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
一般 描述
这 fdfs2p106a 结合 这 exceptional
效能 的 仙童's powertrench 场效应晶体管
技术 和 一个 非常 低 向前 电压 漏出
肖特基 屏障 整流器 在 一个 所以-8 包装.
这个 设备 是 设计 specifically 作 一个 单独的 包装
解决方案 为 直流 至 直流 转换器. 它 特性 一个 快
切换, 低 门 承担 场效应晶体管 和 非常 低 在-
状态 阻抗. 这 independently 连接
肖特基 二极管 准许 它的 使用 在 一个 多样性 的 直流/直流
转换器 topologies.
特性
•
–3.0 一个, –60v R
ds(在)
= 110 m
Ω
@ v
GS
= –10 v
R
ds(在)
= 140 m
Ω
@ v
GS
= –4.5 v
•
V
F
< 0.45 v @ 1 一个 (t
J
= 125
°
c)
V
F
< 0.53 v @ 1 一个
V
F
< 0.62 v @ 2 一个
•
肖特基 和 场效应晶体管 组成公司的 在 单独的
电源 表面 挂载 所以-8 包装
•
用电气 独立 肖特基 和 场效应晶体管
引脚 为 设计 flexibility
一个
一个
S
G
C
C
D
D
管脚 1
所以-8
81
72
63
54
一个
一个
S
G
C
C
D
D
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
场效应晶体管 流-源 电压
–
60
V
V
GSS
场效应晶体管 门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
–
3
一个
– 搏动
–
10
电源 消耗 为 双 运作 2
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.6
(便条 1b)
1
P
D
(便条 1c)
0.9
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围
–
55 至 +150
°
C
V
RRM
肖特基 repetitive 顶峰 反转 电压
45 v
I
O
肖特基 平均 向前 电流
(便条 1a)
1 一个
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
fdfs2p106a fdfs2p106a 13’’ 12mm 2500 单位
FDFS2P106A
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