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资料编号:323329
 
资料名称:FDFS2P103
 
文件大小: 295.83K
   
说明
 
介绍:
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
 
 


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fdfs2p103 rev c(w)
典型 特性
0
2
4
6
8
10
0246810
Q
g
, 门 承担 (nc)
-v
GS
, 门-源 电压 (v)
I
D
= -5.3a
V
DS
= -10v
-15v
-20v
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 5 10 15 20 25 30
-v
DS
, 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 mhz
V
GS
= 0 v
图示 7. 门 承担 特性. 图示 8. 电容 特性.
0.001
0.01
0.1
1
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
V
F
, 向前 电压 (v)
I
F
, 向前 泄漏 电流 (一个)
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
1.00e-07
1.00e-06
1.00e-05
1.00e-04
1.00e-03
1.00e-02
1.00e-01
0 10 20 30 40 50 60
V
R
, 反转 电压 (v)
I
R
, 反转 泄漏 电流 (一个)
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
图示 9. 肖特基 二极管 向前 电压. 图示 10. 肖特基 二极管 反转 电流.
0.01
0.1
1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t
1
, 时间 (秒)
r(t), normalized 有效的
瞬时 热的 阻抗
R
θ
JA
(t) = r(t) * r
θ
JA
R
θ
JA
= 135 °c/w
T
J
- t
一个
= p * r
θ
JA
(t)
职责 循环, d = t
1
/ t
2
p(pk)
t
1
t
2
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
d = 0.5
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 便条 1c.
瞬时 热的 回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
FDFS2P103
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