十一月1998
FDG6321C
双 n &放大; p channel数字的 场效应晶体管
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 n-频道 p-频道 单位
V
DS
S
流-源 电压 25 -25 V
V
GSS
门-源 电压 8 -8 V
I
D
流 电流 - 持续的 0.5 -0.41 一个
- 搏动 1.5 -1.2
P
D
最大电源 消耗
(便条 1) 0.3 W
T
J
,t
STG
运行 和 存储 temperature 范围r -55 至 150 °C
静电释放 静电的 释放 比率 mil-标准-883d
人 身体 模型 (100pf / 1500 ohm)
6 kV
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1) 415 °c/w
FDG6321Crev. d
n-ch0.50一个, 25v,R
ds(在)
= 0.45
Ω
@ v
GS
=4.5v.
R
ds(在)
= 0.60
Ω
@ v
GS
=2.7v.
P-ch-0.41一个,-25v,R
ds(在)
= 1.1
Ω
@ v
GS
=-4.5v.
R
ds(在)
= 1.5
Ω
@ v
GS
=-2.7v.
非常 小 包装 外形 sc70-6.
非常 low 水平的 门 驱动 (所需的)东西 准许直接
运作 在 3 v 电路(v
gs(th)
< 1.5 v).
门-源 齐纳 为静电释放 强壮
(>6kV人 身体 模型).
这些 双 n&放大; p-channel 逻辑 水平的 增强 模式地方
效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的,
高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 是 特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗.
这个设备 有 被 设计 特别 为 低 电压
产品 作 一个 替换 为 双极 数字的 晶体管 和
小 信号 mosfets.自从 偏差 电阻器 是 不 必需的,
这个 双数字的 场效应晶体管 能 替代 一些 不同的 数字的
晶体管, with 不同的 偏差 电阻 值.
sc70-6
SuperSOT
TM
-6
soic-14
所以-8
sot-8
sot-23
sc70-6
G1
D2
S1
D1
S2
G2
.21
5
3
2
4
1
6
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