©2004 仙童 半导体 公司 fdp8870 rev. a2
FDP8870
图示 5. 向前 偏差 safe 运行 范围
便条:
谈及 至 仙童 应用 注释 an7514 和 an7515
图示 6. unclamped inductive 切换
能力
图示 7. 转移 特性 图示 8. 饱和 特性
图示 9. 流 至 源 在 阻抗 vs 门
电压 和 流 电流
图示 10. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
典型 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
0.1
1
10
100
1000
110
60
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
J
= 最大值 评估
T
C
= 25
o
C
单独的 脉冲波
限制 用 r
ds(在)
范围 将 是
运作 在 这个
10
µ
s
1ms
直流
100
µ
s
10ms
1
10
100
0.01 0.1 1 10
500
100
I
作
, avalanche 电流 (一个)
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
开始 t
J
= 25
o
C
开始 t
J
= 150
o
C
t
AV
= (l)(i
作
)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
)
如果 r = 0
如果 r
≠
0
t
AV
= (l/r)ln[(i
作
*r)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
) +1]
0
40
80
120
160
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
T
J
= 175
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
0
40
80
120
160
0 0.25 0.5 0.75 1.0
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 10v
V
GS
= 4v
V
GS
= 3v
V
GS
= 5v
2
4
6
8
10
246810
I
D
= 1a
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
= 35a
r
ds(在)
, 流 至 源
在 阻抗 (m
Ω
)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-80 -40 0 40 80 120 160 200
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 35a
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值