April1998
FDP6030L/ fDB6030L
n-频道逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
_________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 便条
标识 参数 FDP6030L FDB6030L 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 ±20 V
I
D
流 电流- 持续的 52 一个
- 搏动 156
P
D
最大 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
75 W
减额 在之上 25
°
C 0.5 w/
°
C
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -65 至175 °C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 2
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 62.5
°
c/w
FDP6030l rev.c
1
52一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.0135
Ω
@ v
GS
=10 v
R
ds(在)
= 0.020
Ω
@ v
GS
=4.5V.
改进替换 为
ndp6030l/ndb6030l.
Low 门 承担 (typical 34nC).
低 crss(typical175 pf).
快 switching速.
这些 n-频道 逻辑 水平的 增强 模式 电源
地方 效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专卖的, 高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常
高 密度 处理 是 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗. 这些 设备 是 特别 suited
为 低 电压 产品 此类 作 直流/直流 转换器 和
高 效率 切换电路 在哪里 快 切换, 低
在-线条 电源 丧失, 和 阻抗 至 过往旅客 是 需要.
S
D
G
© 1998 仙童 半导体 公司
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