十一月 1999
1999 仙童 半导体 公司
fdp8030l rev c(w)
fdp8030l/fdb8030l
n-频道 逻辑 水平的 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 n-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管 有 被
设计 specifically 至 改进 这 整体的 效率 的
直流/直流 转换器 使用 也 同步的 或者
常规的 切换 pwm 控制者.
这些 mosfets 特性 faster 切换 和 更小的
门 承担 比 其它 mosfets 和 comparable
R
ds(在)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动
(甚至 在 非常 高 发生率), 和 直流/直流 电源
供应 设计 和 高等级的 整体的 效率.
特性
•
80 一个, 30 v. R
ds(在)
= 0.0035
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.0045
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
•
核心的 直流 电的 参数 指定 在
提升 温度
•
坚毅的 内部的 源-流 二极管 能 eliminate 这
需要 为 一个 外部 齐纳 二极管 瞬时
suppressor
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
175
°
c 最大 接合面 温度 比率
S
G
D
至-220
fdp 序列
D
G
S
至-263ab
fdb 序列
S
D
G
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1)
80 一个
– 搏动
(便条 1)
300
P
D
总的 电源 消耗 @# t
C
= 25
°
C
187 W
减额 在之上 25
°
C
1.25
W
°
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -65 至 +175
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8” 从 情况 为 5 秒
275
°
C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 0.8
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 62.5
°
c/w
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