六月1998
FDR4420A
单独的 n-频道, 逻辑 水平的, powertrench
TM
场效应晶体管
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 FDR4420A 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
流t 电流 - 持续的
(便条 1a)
11 一个
- 搏动 40
P
D
最大电源 消耗
(便条 1a)
1.8
W
(便条 1b)
1
(便条 1c)
0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
70 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
20 °c/w
FDR4420rev.d
11一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.009
Ω
@ v
GS
= 10 v,
R
ds(在)
= 0.013
Ω
@ v
GS
= 4.5 v.
快 切换 速.
低 门 承担.
小 footprint 38% 小 比 一个 标准 所以-8.
Low profile 包装(1mm 厚).
电源 处理 能力 类似的 至 所以-8.
这 supersot-8 家族 的 n-频道 逻辑 水平的 mosfets
有被 设计 至 提供 一个 低 profile, 小 footprint
alternative 至 工业 标准 所以-8 little foot 类型 产品.
这些 mosfets是 生产 使用 仙童 半导体's
先进的 powertrench 处理 那 有 被 tailored 至
降低 这 在-状态 阻抗 和 还 维持更好的
切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和电池
powered 产品在哪里 小 包装 大小 是必需的
没有 compromising 电源 处理 和 快 切换.
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
1
5
6
7
8
4
3
2
D
S
D
D
S
D
D
G
supersot -8
TM
管脚
1
4420A
© 1998 仙童 半导体 公司
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