fds6689s rev
B
(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压 V
GS
= 0 v, I
D
= 1 毫安 30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
28
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, V
GS
= 0 v 500
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏 V
GS
= ±20 v, V
DS
= 0 v ±100 nA
在 特性
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 1 1.6 3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
–4
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, I
D
= 16 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 14.5 一个
V
GS
=10 v, i
D
=16 一个, t
J
=125
°
C
4.5
5.2
6.1
5.4
6.5
m
Ω
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 10 v, I
D
= 16 一个 74 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 3290 pf
C
oss
输出 电容 890 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
290 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 1.5 2.6
Ω
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 12 22 ns
t
r
turn–on 上升 时间 12 22 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 30 46 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, R
GEN
= 6
Ω
60 96 ns
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 v
GS
=10v 56 78 nc
Q
g
总的 门 承担 在 v
GS
=5v 31 44 nc
Q
gs
gate–source 承担 8.2 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= 15 v, I
D
= 16 一个
9.0 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= 3.5 一个
(便条 2)
380 700 mv
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 30 ns
I
RM
二极管 反转 恢复 电流 2 一个
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
I
F
= 16 一个,
d
如果
/d
t
= 300 一个/µs
(便条 3)
31 nC
注释:
1. r
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lder 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) 50°/w 当
挂载 在 一个 1 在
2
垫子 的 2 oz 铜
b) 105°/w 当
挂载 在 一个 .04 在
2
垫子 的 2 oz 铜
c) 125°/w 当 挂载 在 一个
最小 垫子.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%.
3. 看 “syncfet 肖特基 身体 二极管 characteristics” 在下.
FDS6689S
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