FDS6676SRevF1(w)
典型 特性
(持续)
syncfet 肖特基 身体 diode
特性
仙童’s syncfet 处理 embeds 一个 肖特基 二极管 在
并行的 和 powertrench 场效应晶体管. 这个 二极管 exhibits
类似的 特性 至 一个 分离的 外部 肖特基
二极管 在 并行的 和 一个 场效应晶体管. 图示 12 显示 这
反转 恢复典型的 的 这FDS6676S.
图示 12.FDS6676Ssyncfet 身体 二极管
反转 恢复 典型的.
为 comparison 目的, 图示 13 显示 这 反转
恢复 特性 的 the 身体 二极管 的 一个
相等的 大小 场效应晶体管 生产 没有 syncfet
(fds6676).
图示 13. 非-syncfet (fds6676) 身体
二极管 反转 恢复 典型的.
肖特基 屏障 二极管 展览 重大的 泄漏 在 high
温度 和 高 反转 电压. 这个 将 增加
这 电源 在 这 设备.
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
0 5 10 15 20 25 30
V
DS
, 反转 电压 (v)
I
DSS
, 反转 泄漏 电流 (一个)
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
T
一个
= 100
o
C
图示 14. syncfet 身体 二极管 反转
泄漏 相比 流-源 电压 和
温度.
FDS6676S
时间: 12.5ns/div
典型值 t
RR
: 31ns
典型值 i
RM
: 2.4a
电流 : 0.8a/div
时间: 12.5ns/div
典型值 t
RR
: 31ns
典型值 i
RM
: 1.8a
电流 : 0.8a/div