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资料编号:323645
 
资料名称:FDS5672
 
文件大小: 455.69K
   
说明
 
介绍:
N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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©2005 仙童 半导体 公司
fds5672 rev. 一个
www.fairchildsemi.com
FDS5672
n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
3
resistive 切换 特性
(v
GS
= 10v)
t
Tur n- OnT i m e
V
DD
= 30v, i
D
= 12a
V
GS
= 10v, r
GS
= 9.1
- - 50 ns
t
d(在)
Tur n- OnD e l 一个y T i m e - 13 - ns
t
r
上升 时间 - 20 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 35 - ns
t
f
下降 时间 - 14 - ns
t
转变-止 时间 - - 64 ns
流-源 二极管 特性
V
SD
源 至 流 二极管 电压
I
SD
= 12a - - 1.25 V
I
SD
= 6a - - 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
=12a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 39 ns
Q
RR
反转 recovered 承担 I
SD
=12a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 40 nC
注释:
1:
开始 t
J
= 25°c, l = 1mh, i
= 22a, v
DD
= 60v, v
GS
= 10v.
2:
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 solder 挂载 表面 的 这
流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
JA
是 决定 用 这 用户’s 板 设计.
3:
R
θ
JA
是 量过的 和 1.0 在
2
铜 在 fr-4 板.
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