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资料编号:323645
 
资料名称:FDS5672
 
文件大小: 455.69K
   
说明
 
介绍:
N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
©2005 仙童 半导体 公司
fds5672 rev. 一个
www.fairchildsemi.com
FDS5672
n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
5
图示 5.
0.1
1
10
100
400
0.1 1 10 70
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
J
= 最大值 评估
T
一个
= 25
o
C
单独的 脉冲波
限制 用 r
ds(在)
范围 将 是
运作 在 这个
1ms
100
µ
s
10ms
向前 偏差 safe 运行 范围
便条: 谈及 至 仙童 应用 注释 an7514 和 an7515
图示 6.
1
10
50
1010.1 100
I
, avalanche 电流 (一个)
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
开始 t
J
= 25
o
C
开始 t
J
= 150
o
C
t
AV
= (l)(i
)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
)
如果 r = 0
如果 r
0
t
AV
= (l/r)ln[(i
*r)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
) +1]
unclamped inductive 切换
能力
图示 7.
0
5
10
15
20
25
3.03.54.04.55.05.5
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
转移 特性 图示 8. saturati在 特性
0
5
10
20
25
0.20 0.4 0.6 0.8 1.0
15
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 4.5v
T
一个
= 25
o
C
V
GS
= 6v
V
GS
= 10v
V
GS
= 5v
图示 9.
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
036912
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 6v
V
GS
= 10v
流 至 源 在 阻抗 (m
)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
流 至 源 在阻抗 vs 流
电流
图示 10.
0.5
1.0
1.5
2.0
-80 -40 0 40 80 120 160
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 12a
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
典型 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
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