fds8876 n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
fds8876 rev. 一个
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2
场效应晶体管 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
动态 特性
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 30 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
流 电流
12.5 一个
持续的 (t
一个
= 25
o
c, v
GS
= 10v, r
θ
JA
= 50
o
c/w)
持续的 (t
一个
= 25
o
c, v
GS
= 4.5v, r
θ
JA
= 50
o
c/w) 11.4 一个
搏动 图示 4 一个
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (便条 1) 105 mJ
P
D
电源 消耗 2.5 W
减额 在之上 25
o
c20mw/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 150
o
C
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 (便条 2) 25
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 在 10 秒 (便条 3) 50
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 在 1000 秒 (便条 3) 85
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS8876 FDS8876 所以-8 330mm 12mm 2500 单位
FDS8876 fds8876_nl (便条 4) 所以-8 330mm 12mm 2500 单位
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 30 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24v - - 1
µ
一个
V
GS
= 0v T
一个
= 150
o
c- - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 1.2 - 2.5 V
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 12.5a, v
GS
= 10v - 0.0068 0.0082
Ω
I
D
= 11.4a, v
GS
= 4.5v - 0.0083 0.0102
I
D
= 12.5a, v
GS
= 10v,
T
一个
= 150
o
C
- 0.0109 0.0141
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 15v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
-1650- pF
C
OSS
输出 电容 - 330 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 180 - pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 0.5v, f = 1mhz 0.5 2.3 4.0
Ω
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 10v V
GS
= 0v 至 10v
V
DD
= 15v
I
D
= 12.5a
I
g
= 1.0ma
-2836nc
Q
g(5)
总的 门 承担 在 5v V
GS
= 0v 至 5v - 15 20 nC
Q
g(th)
门槛 门 承担 V
GS
= 0v 至 1v - 1.5 2 nC
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 4.3 - nC
Q
gs2
门 承担 门槛 至 plateau - 2.8 - nC
Q
gd
门 至 流 “miller” 承担 - 5.0 - nC
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