关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:323663
资料名称:
FDS6982AS
文件大小: 168.12K
说明
:
介绍
:
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds6982as rev a1 (x)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数 测试 情况 类型
最小值
典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 1 毫安
V
GS
= 0 v,
I
D
= 250 ua
Q2
Q1
30
30
V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压
温度 系数
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
Q2
Q1
28
24
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
= 24 v,
V
GS
= 0 v
Q2
Q1
500
1
µ
一个
I
GSS
门-身体 泄漏
V
GS
=
±
20 v,
V
DS
= 0 v
Q2
Q1
±
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
Q2
Q1
1
1
1.4
1.9
3
3
V
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
q2 –3.1
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250 ua, 关联 至 25
°
C
q1 –4.3
mv/
°
C
V
GS
= 10 v, i
D
= 8.6 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 8.6 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 7.5 一个
Q2
11
16
13
13.5
20.0
16.5
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 6.3 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 6.3 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 5.6 一个
q1 18
26
23
22
33
29
m
Ω
I
d(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 10 v,
V
DS
= 5 v
Q2
Q1
30
20
一个
g
FS
向前 跨导 v
DS
= 5 v,
I
D
= 8.6 一个
V
DS
= 5 v,
I
D
= 6.3 一个
Q2
Q1
32
19
S
动态 特性
C
iss
输入 电容
Q2
Q1
1250
610
pF
C
oss
输出 电容
Q2
Q1
410
180
pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
Q2
Q1
130
85
pF
R
G
门 阻抗
V
GS
= 15mv,
f = 1.0 mhz
Q2
Q1
1.4
2.2
Ω
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
Q2
Q1
9
10
18
20
ns
t
r
转变-在 上升 时间
Q2
Q1
6
7
12
14
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
Q2
Q1
27
24
44
39
ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= 15 v,
I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10v, r
GEN
= 6
Ω
Q2
Q1
11
3
20
6
ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
Q2
Q1
12
12
22
22
ns
t
r
转变-在 上升 时间
Q2
Q1
13
14
23
25
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
Q2
Q1
19
15
34
27
ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= 15 v,
I
D
= 1 一个,
V
GS
= 4.5v, r
GEN
= 6
Ω
Q2
Q1
10
5
20
10
ns
FDS6982
一个
S
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com