FDS6690A_集成电路资料查询网

fds6986s rev c1 (w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数 测试 情况 类型
最小值
典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 ua
Q2
Q1
30
30
V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压
温度 系数
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
Q2
Q1
20
23
mv/
°
C
I
DSS
 零 门 电压 流
电流
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v Q2
Q1
500
1
µ
一个
I
GSSF
 门-身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v, v
DS
= 0 v
V
GS
= 16 v, v
DS
= 0 v
Q2
Q1
100 na
I
GSSR
 门-身体 泄漏, 反转 V
GS
= –20 v, v
DS
= 0 v
V
GS
= –16 v, v
DS
= 0 v
Q2
Q1
–100 na
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
 门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
Q2
Q1
1
1
2.4
1.6
3
3
V
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
Q2 –6 
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250 ua, 关联 至 25
°
C
Q1 –4 
mv/
°
C
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.9 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.9 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 7 一个
Q2
16
24
23
20
32
28
R
ds(在)
 静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 6.5 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 6.5 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 5.6 一个
Q1 25
37
30
29
49
38
m
Ω
I
d(在)
 在-状态 流 电流 V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v Q2
Q1
30
20
一个
g
FS
向前 跨导 v
DS
= 5 v, i
D
= 7.9 一个
V
DS
= 5 v, i
D
= 6.5 一个
Q2
Q1
23
22
S
动态 特性
C
iss
输入 电容 Q2
Q1
1233
695
pF
C
oss
输出 电容 Q2
Q1
344
117
pF
C
rss
 反转 转移 电容
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
Q2
Q1
106
58
pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15mv, f = 1.0 mhz Q2
Q1
1.4
1.7
Ω
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
 转变-在 延迟 时间
Q2
Q1
8
7
16
14
ns
t
r
转变-在 上升 时间
Q2
Q1
5
4.5
10
9
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
Q2
Q1
25
20
40
36
ns
t
f
 转变-止 下降 时间
V
DD
= 15 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10v, r
GEN
= 6
Ω
Q2
Q1
11
2.5
20
5
ns
Q
g
 总的 门 承担
Q2
Q1
11
6.5
16
9
nC
Q
gs
门-源 承担
Q2
Q1
5
2.5
nC
Q
gd
门-流 承担
q2:
V
DS
= 15 v, i
D
= 7.9 一个, v
GS
= 5 v
q1:
V
DS
= 15 v, i
D
= 6.5 一个, v
GS
= 5 v
Q2
Q1
4
1.3
nC
FDS6986S

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fds6986s rev c1 (w) 电的特性 T 一个 = 25°c 除非否则指出标识参数测试情况类型最小值典型值最大值单位止特性 BV DSS 流-源损坏电压 V GS = 0 v, i D = 1 毫安 V GS = 0 v, i D = 250 ua Q2 Q1 30 30 V ∆ BV DSS ∆ T J 损坏电压温度系数 I D = 1 毫安, 关联至 25 ° C I D = 250 µa, 关联至 25 ° C Q2 Q1 20 23 mv/ ° C I DSS 零门电压流电流 V DS = 24 v, v GS = 0 v Q2 Q1 500 1 µ 一个 I GSSF 门-身体泄漏, 向前 V GS = 20 v, v DS = 0 v V GS = 16 v, v DS = 0 v Q2 Q1 100 na I GSSR 门-身体泄漏, 反转 V GS = –20 v, v DS = 0 v V GS = –16 v, v DS = 0 v Q2 Q1 –100 na 在特性 (便条 2) V gs(th) 门门槛电压 V DS = v GS , i D = 1 毫安 V DS = v GS , i D = 250 µa Q2 Q1 1 1 2.4 1.6 3 3 V I D = 1 毫安, 关联至 25 ° C Q2 –6 ∆ V gs(th) ∆ T J 门门槛电压温度系数 I D = 250 ua, 关联至 25 ° C Q1 –4 mv/ ° C V GS = 10 v, i D = 7.9 一个 V GS = 10 v, i D = 7.9 一个, t J = 125 ° C V GS = 4.5 v, i D = 7 一个 Q2 16 24 23 20 32 28 R ds(在) 静态的流-源在-阻抗 V GS = 10 v, i D = 6.5 一个 V GS = 10 v, i D = 6.5 一个, t J = 125 ° C V GS = 4.5 v, i D = 5.6 一个 Q1 25 37 30 29 49 38 m Ω I d(在) 在-状态流电流 V GS = 10 v, v DS = 5 v Q2 Q1 30 20 一个 g FS 向前跨导 v DS = 5 v, i D = 7.9 一个 V DS = 5 v, i D = 6.5 一个 Q2 Q1 23 22 S 动态特性 C iss 输入电容 Q2 Q1 1233 695 pF C oss 输出电容 Q2 Q1 344 117 pF C rss 反转转移电容 V DS = 10 v, v GS = 0 v, f = 1.0 mhz Q2 Q1 106 58 pF R G 门阻抗 V GS = 15mv, f = 1.0 mhz Q2 Q1 1.4 1.7 Ω 切换特性 (便条 2) t d(在) 转变-在延迟时间 Q2 Q1 8 7 16 14 ns t r 转变-在上升时间 Q2 Q1 5 4.5 10 9 ns t d(止) 转变-止延迟时间 Q2 Q1 25 20 40 36 ns t f 转变-止下降时间 V DD = 15 v, i D = 1 一个, V GS = 10v, r GEN = 6 Ω Q2 Q1 11 2.5 20 5 ns Q g 总的门承担 Q2 Q1 11 6.5 16 9 nC Q gs 门-源承担 Q2 Q1 5 2.5 nC Q gd 门-流承担 q2: V DS = 15 v, i D = 7.9 一个, v GS = 5 v q1: V DS = 15 v, i D = 6.5 一个, v GS = 5 v Q2 Q1 4 1.3 nC FDS6986S

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