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资料编号:323702
 
资料名称:FDS6912
 
文件大小: 219.88K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
 
 


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fds6912 rev e (w)
典型 特性
0112233
0
6
12
18
24
30
V,D rain-sour ce 电压 (v)
I, 流-sour ce curren T(一个)
3.0v
4.0v
4.5v
DS
D
v = 10V
GS
5.0v
6.0v
3.5v
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0 1020304050
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 4.0v
6.0v
5.0v
4.5v
7.0v
10V
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
v =10v
GS
i = 6.3a
D
r ,normalized
ds(在)
J
r ,(

)
ds(在)
i = 3.0a
D
t = 125 c
一个
25 c
o
o
GS
246810
1
2
3
4
5
6
7
8
v ,门-源 电压 (v)
流-源 在-阻抗
图示 3. 在-阻抗 变化
withtemperature.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
12345
0
5
10
15
20
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25°C
125°C
v = 5v
DS
GS
D
t = -55°c
J
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.4 0.8 1.2 1.6
V
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0v
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.
FDS6912
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