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资料编号:323703
 
资料名称:FDS8978
 
文件大小: 439.26K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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fds8978 n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
fds8978 rev. 一个
www.fairchildsemi.com
2
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 30 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24v - - 1
µ
一个
V
GS
= 0v T
一个
= 150
o
C - - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
在 特性
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 1.2 - 2.5 V
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 7.5a, v
GS
= 10v - 0.014 0.018
I
D
= 6.9a, v
GS
= 4.5v - 0.017 0.021
I
D
= 7.5a, v
GS
= 10v,
T
一个
= 150
o
C
- 0.022 0.029
动态 特性
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 15v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
- 907 - pF
C
OSS
输出 电容 - 191 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 112 - pF
R
G
门 阻抗 f = 1mhz 1.2 4.0
Q
g
总的 门 承担
V
GS
=10V
V
DD
= 15v
I
D
= 7.5a
- 17 26 nC
V
GS
= 5v 9 14 nC
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 2.3 - nC
Q
gs2
门 承担 门槛 至 plateau - 1.5 - nC
Q
gd
门 至 流 “miller” 承担 - 3.3 - nC
切换 特性
(v
GS
= 10v)
t
转变-在 时间
V
DD
= 15v, i
D
= 7.5a
V
GS
= 10v, r
GS
= 16
- 44 66 ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 7 10.5 ns
t
r
上升 时间 - 37 55.5 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 48 72 ns
t
f
下降 时间 - 24 36 ns
t
转变-止 时间 - 72 108 ns
流-源 二极管 特性
V
SD
源 至 流 二极管 电压
I
SD
= 7.5a - - 1.25 V
I
SD
= 2.1a - - 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
= 7.5a, di
SD
/dt=100a/
µ
s - 19 25 ns
Q
RR
反转 recovered 承担 I
SD
= 7.5a, di
SD
/dt=100a/
µ
s - 10 13 nC
注释:
1:
开始 t
J
= 25°c, l = 1mh, i
= 7.5a, v
DD
= 30v, v
GS
= 10v.
2:
R
θ
JA
78
o
c/w当 挂载 在 一个 0.5 在
2
铜 垫子 在 fr-4 在 100 秒.
3:
R
θ
JA
191
o
c/w当 挂载 在 一个 0.027 在
2
铜 垫子 在 fr-4 在 1000 秒.
4:
R
θ
JA
228
o
c/w当 挂载 在 一个 0.006 在
2
铜 垫子 在 fr-4 在 1000 秒.
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