FDS6900作Rev
B
(X)
典型 特性
(持续)
syncfet 肖特基 身体 二极管
特性
仙童’s syncfet 处理 embeds 一个 肖特基 二极管
在 并行的 和 powertrench 场效应晶体管. 这个 二极管
exhibits 类似的 特性 至 一个 分离的 外部
肖特基 二极管 在 并行的 和 一个 场效应晶体管.
图示 23
显示 这 反转 恢复 典型的 的 这
fds6900as.
图示 23. fds6900as syncfet 身体
二极管 反转 恢复 典型的.
为 comparison 目的,
图示 24
显示 这 反转
恢复 特性 的 这 身体 二极管 的 一个
相等的 大小 场效应晶体管 生产 没有 syncfet
(fds6690).
图示 24. 非-syncfet (fds6690) 身体
二极管 反转 恢复 典型的.
肖特基 屏障 二极管 exhibit 重大的 泄漏 在
高 温度 和 高 反转 电压. 这个 将
增加 这 电源 在 这 设备.
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0 5 10 15 20 25 30
V
DS
, 反转 电压 (v)
I
DSS
, 反转 泄漏 电流 (一个)
125
o
C
25
o
C
100
o
C
图示 25. syncfet 身体 二极管 反转
泄漏 相比 流-源 电压 和
温度
FDS6900一个S
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