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april 2005
fds6673az rev. c(w)
fds6673az 30 volt p-频道 powertrench
®
场效应晶体管
FDS6673AZ
30 volt p-频道 powertrench
®
场效应晶体管
特性
■
–14.5 一个, –30 v. R
ds(在)
= 7.2 m
Ω
@ v
GS
= –10 v
R
ds(在)
= 11 m
Ω
@ v
GS
= – 4.5 v
■
扩展 v
GSS
范围 (–25v) 为 电池 产品
■
静电释放 保护 二极管 (便条 3)
■
高 效能 trench 技术 为 极其 低
R
ds(在)
■
高 电源 和 电流 处理 能力
一般 描述
这个 p-频道 场效应晶体管 有 被 设计 specifically 至
改进 这 整体的 efficiency 的 直流/直流 转换器 使用 也
同步的 或者 常规的 切换 pwm 控制者, 和
电池 chargers.
这些 mosfets 特性 faster 切换 和 更小的 门
承担 比 其它 mosfets 和 comparable r
ds(在)
specifi-
cations.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动 (甚至 在
very高 发生率), 和 直流/直流 电源 供应 设计 和
高等级的 整体的 efficiency.
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
Package 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –30 V
V
GSS
门-源 电压 +
25 V
I
D
流 电流 – 持续的 (便条 1a) –14.5 一个
– 搏动 –50
P
D
Power 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 2.5 W
(便条 1b) 1.2
(便条 1c) 1.0
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 25
°
c/w
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS6673AZ FDS6673AZ 13’’ 12mm 2500 单位
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
5
6
7
8
4
3
2
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