12月 2001
2001 仙童 半导体 公司
fdw2508p rev. e (w)
FDW2508P
双 p-频道 1.8 v 指定 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 p-频道 –1.8v 指定 场效应晶体管 使用
仙童’s 先进的 低 电压 powertrench 处理.
它 有 被 优化 为 电池 电源 管理
产品.
产品
•
电源 管理
•
加载 转变
•
电池 保护
特性
•
–6 一个, –12 v. R
ds(在)
= 18 m
Ω
@ v
GS
= –4.5 v
R
ds(在)
= 22 m
Ω
@ v
GS
= –2.5 v
R
ds(在)
= 30 m
Ω
@ v
GS
= –1.8 v
•
低 门 承担(26nc 典型)
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
低 profile tssop-8 包装
D
1
S
1
S
1
G
1
D
2
S
2
S
2
G
2
tssop-8
管脚 1
8
7
6
5
1
2
3
4
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –12 V
V
GSS
门-源 电压
±
8
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1)
–6 一个
– 搏动 –30
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.3 W
(便条 1b)
1
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
100
°
c/w
(便条 1b)
125
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
2508p fdw2508p 13’’ 12mm 2500 单位
FDW2508P