8月.1998
25
20
15
10
5
0
1000200 400 600 800
t
gq
t
s
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –30a/
µ
s
V
RG
= 17v
C
S
= 0.7
µ
F
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
50
40
30
20
10
0
3010
20 40 50
t
gq
t
s
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
I
T
= 1000a
V
RG
= 17v
C
S
= 0.7
µ
F
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
500
400
300
200
100
0
1000200 400 600 800
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –30a/
µ
s
V
RG
= 17v
C
S
= 0.7
µ
F
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
500
400
300
200
100
0
3010
20 40 50
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
I
T
= 1000a
V
RG
= 17v
C
S
= 0.7
µ
F
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
1000
200 400 600 800
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –30a/
µ
s
V
RG
= 17v
C
S
= 0.7
µ
F
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
1.6
1.2
0
1200200
400 600 800 1000
0.4
0.8
1.4
1.0
0.2
0.6
V
D
= 2250v
I
GM
= 25a
d
iG
/d
t
= 10a/
µ
s
C
S
= 0.7
µ
F
R
S
= 5
Ω
T
j
= 125°c
d
它
/d
t
= 300a/
µ
s
200A/
µ
s
100A/
µ
s
转变 止 时间 t
gq
, 转变 止 存储 时间 t
s
(
µ
s)
比率 的 上升 的 转变 止 门 电流 (一个/
µ
s)
转变 止 时间, 转变 止 存储 时间
vs. 比率 的 上升 的 转变 止 门 电流
(典型)
转变 止 时间 t
gq
, 转变 止 存储 时间 t
s
(
µ
s)
转变 止 电流 (一个)
转变 止 时间, 转变 止 存储 时间
vs. 转变 止 电流
(典型)
转变 止 门 电流 (一个)
比率 的 上升 的 转变 止 门 电流 (一个/
µ
s)
转变 止 门 电流 vs.
比率 的 上升 的 门 电流
(典型)
转变 止 门 电流 (一个)
转变 止 电流 (一个)
转变 止 门 电流
vs. 转变 止 电流
(典型)
切换 活力 eon (j/p)
转变 在 电流 (一个)
转变 在 切换 活力
(最大)
切换 活力 eoff (j/p)
转变 止 电流 (一个)
转变 止 切换 活力
(最大)
mitsubishi 门 转变-止 thyristors
fg1000bv-90da
高 电源 反相器 使用
press 包装 类型
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