FG3000DV-90DA_集成电路资料查询网

8月.1998
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D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –40a/
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s
V
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= 17v
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= 6.0
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= 0.3
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= 125°c
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V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –40a/
µ
s
V
RG
= 17v
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
C
S
= 3.0
µ
F
6.0
µ
F
4.0
µ
F
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1000 2000 3000
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –40a/
µ
s
V
RG
= 17v
C
S
= 6.0
µ
F
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
t
s
t
gq
50
40
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20
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7020
30 40 50 60
t
s
t
gq
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
I
T
= 3000a
V
RG
= 17v
C
S
= 6.0
µ
F
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
1000
800
600
400
200
0
1000
20 40 60 80
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
I
T
= 3000a
V
RG
= 17v
C
S
= 6.0
µ
F
L
S
= 0.3
µ
H
T
j
= 125°c
8
6
5
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0
50000
1000 2000 3000 4000
2
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V
D
= 2250v
I
GM
= 40a
d
iG
/d
t
= 10a/
µ
s
C
S
= 6.0
µ
F
R
S
= 5
Ω
T
j
= 125°c
d
它
/d
t
= 500a/
µ
s
300A/
µ
s
100A/
µ
s
转变 止 时间  t
gq
, 转变 止 存储 时间  t
s
(
µ
s)
比率 的 上升 的 转变 止 门 电流  (一个/
µ
s)
转变 止 时间, 转变 止 存储 时间
vs. 比率 的 上升 的 转变 止 门 电流
(典型)
转变 止 时间  t
gq
, 转变 止 存储 时间  t
s
(
µ
s)
转变 止 电流  (一个)
转变 止 时间, 转变 止 存储 时间
vs. 转变 止 电流
(典型)
转变 止 门 电流  (一个)
比率 的 上升 的 转变 止 门 电流  (一个/
µ
s)
转变 止 门 电流 vs.
比率 的 上升 的 门 电流
(典型)
转变 止 门 电流  (一个)
转变 止 电流  (一个)
转变 止 门 电流
vs. 转变 止 电流
(典型)
切换 活力  eon (j/p)
转变 在 电流  (一个)
转变 在 切换 活力
(最大)
切换 活力  eoff (j/p)
转变 止 电流  (一个)
转变 止 切换 活力
(最大)
mitsubishi 门 转变-止 thyristors
fg3000dv-90da
高 电源 反相器 使用
press 包装 类型

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8月.1998 800 600 500 300 100 0 40000 200 400 700 1000 2000 3000 V D = 2250v V DM = 3375v d iGQ /d t = –40a/ µ s V RG = 17v C S = 6.0 µ F L S = 0.3 µ H T j = 125°c 10 8 6 4 2 9 7 5 3 1 0 50000 1000 2000 3000 4000 V D = 2250v V DM = 3375v d iGQ /d t = –40a/ µ s V RG = 17v L S = 0.3 µ H T j = 125°c C S = 3.0 µ F 6.0 µ F 4.0 µ F 40 30 25 15 5 0 40000 10 20 35 1000 2000 3000 V D = 2250v V DM = 3375v d iGQ /d t = –40a/ µ s V RG = 17v C S = 6.0 µ F L S = 0.3 µ H T j = 125°c t s t gq 50 40 30 20 10 0 7020 30 40 50 60 t s t gq V D = 2250v V DM = 3375v I T = 3000a V RG = 17v C S = 6.0 µ F L S = 0.3 µ H T j = 125°c 1000 800 600 400 200 0 1000 20 40 60 80 V D = 2250v V DM = 3375v I T = 3000a V RG = 17v C S = 6.0 µ F L S = 0.3 µ H T j = 125°c 8 6 5 3 1 0 50000 1000 2000 3000 4000 2 4 7 V D = 2250v I GM = 40a d iG /d t = 10a/ µ s C S = 6.0 µ F R S = 5 Ω T j = 125°c d 它 /d t = 500a/ µ s 300A/ µ s 100A/ µ s 转变止时间 t gq , 转变止存储时间 t s ( µ s) 比率的上升的转变止门电流 (一个/ µ s) 转变止时间, 转变止存储时间 vs. 比率的上升的转变止门电流 (典型) 转变止时间 t gq , 转变止存储时间 t s ( µ s) 转变止电流 (一个) 转变止时间, 转变止存储时间 vs. 转变止电流 (典型) 转变止门电流 (一个) 比率的上升的转变止门电流 (一个/ µ s) 转变止门电流 vs. 比率的上升的门电流 (典型) 转变止门电流 (一个) 转变止电流 (一个) 转变止门电流 vs. 转变止电流 (典型) 切换活力 eon (j/p) 转变在电流 (一个) 转变在切换活力 (最大) 切换活力 eoff (j/p) 转变止电流 (一个) 转变止切换活力 (最大) mitsubishi 门转变-止 thyristors fg3000dv-90da 高电源反相器使用 press 包装类型

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