8月.1998
30
25
20
15
10
5
50000
1000 2000 3000 4000
t
gq
t
s
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –50a/
µ
s
V
RG
= 17v
C
S
= 5.0
µ
F
L
S
= 0.2
µ
H
T
j
= 125°c
1200
1000
800
600
400
200
50000
1000 2000 3000 4000
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –50a/
µ
s
V
RG
= 17v
C
S
= 5.0
µ
F
L
S
= 0.2
µ
H
T
j
= 125°c
50
40
30
20
10
0
10050100
20 30 40 60 70 80 90
t
gq
t
s
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
I
T
= 4000a
V
RG
= 17v
C
S
= 5.0
µ
F
L
S
= 0.2
µ
H
T
j
= 125°c
1400
1200
1000
800
600
400
10050100
20 30 40 60 70 80 90
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
I
T
= 4000a
V
RG
= 17v
C
S
= 5.0
µ
F
L
S
= 0.2
µ
H
T
j
= 125°c
8.0
6.0
0
50000
1000 2000 3000 4000
2.0
4.0
7.0
5.0
1.0
3.0
V
D
= 2250v
I
GM
= 40a
d
iG
/d
t
= 20a/
µ
s
C
S
= 5.0
µ
F
R
S
= 5
Ω
T
j
= 125°c
d
它
/d
t
= 500a/
µ
s
300A/
µ
s
100A/
µ
s
16
12
10
6
2
0
40000
4
8
14
1000 2000 3000
V
D
= 2250v
V
DM
= 3375v
d
iGQ
/d
t
= –50a/
µ
s
V
RG
= 19v
L
S
= 0.2
µ
H
T
j
= 125°c
C
S
= 2.0
µ
F
4.0
µ
F
5.0
µ
F
转变 止 时间 t
gq
, 转变 止 存储 时间 t
s
(
µ
s)
比率 的 上升 的 转变 止 门 电流 (一个/
µ
s)
转变 止 时间, 转变 止 存储 时间
vs. 比率 的 上升 的 转变 止 门 电流
(典型)
转变 止 时间 t
gq
, 转变 止 存储 时间 t
s
(
µ
s)
转变 止 电流 (一个)
转变 止 时间, 转变 止 存储 时间
vs. 转变 止 电流
(典型)
转变 止 门 电流 (一个)
比率 的 上升 的 转变 止 门 电流 (一个/
µ
s)
转变 止 门 电流 vs.
比率 的 上升 的 门 电流
(典型)
转变 止 门 电流 (一个)
转变 止 电流 (一个)
转变 止 门 电流
vs. 转变 止 电流
(典型)
切换 活力 eon (j/p)
转变 在 电流 (一个)
转变 在 切换 活力
(最大)
切换 活力 eoff (j/p)
转变 止 电流 (一个)
转变 止 切换 活力
(最大)
mitsubishi 门 转变-止 thyristors
fg4000cx-90da
高 电源 反相器 使用
press 包装 类型
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