三月. 2001
6.8
150
100
50
1650
5.0
0.5
1.5
0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
毫安
毫安
毫安
µ
C
j/p
一个
V
°
c/w
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
TM
I
RRM
I
DRM
I
GRM
Q
RR
E
rec
I
GT
V
GT
R
th(j-f)
E
在
mitsubishi 门 commutated 转变-止 thyristors
fgc800a-130ds
高 电源 反相器 使用
press 包装 类型
转变-止 切换 活力
t
gt
t
s
在-状态 电压
repetitive 顶峰 反转 电流
repetitive 顶峰 止-状态 电流
反转 门 电流
反转 恢复 承担
反转 恢复 活力
门 触发 电流
门 触发 电压
热的 阻抗
转变-在 切换 活力
电的 特性
标识
参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
单位
直流 方法 : v
D
= 24v, r
L
= 0.1
Ω
, t
j
= 25
°
C
d
v
/d
t
核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压
转变-在 时间
E
止
存储 时间
3000
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
1.6
3.0
6.0
v/
µ
s
µ
s
j/p
µ
s
j/p
I
T
= 800a, t
j
= 115
°
C
V
RM
= 6500v, t
j
= 115
°
C
V
DM
= 6500v, v
GK
=
–
2v, t
j
= 115
°
C
V
RG
= 21v, t
j
= 115
°
C
V
D
= 3000v, v
GK
=
–
2v, t
j
= 115
°
C
(expo. 波) (看 图. 4)
I
T
= 800a, v
D
= 3000v, d
i
/d
t
= 1000a/
µ
s, t
j
= 115
°
C
C
S
= 0.1
µ
f,R
S
= 10
Ω
和 gu-d08 (看 图. 1, 2)
I
T
= 800a, v
DM
= 3/4 v
DRM
, v
D
= 3000v
C
S
= 0.1
µ
f,R
S
= 10
Ω
, v
RG
= 20v, t
j
= 115
°
C
和 gu-d08 (看 图. 1, 5)
V
R
= 3000v, i
T
= 800a, d
i
/d
t
= 1000a/
µ
s
C
S
= 0.1
µ
f,R
S
= 10
Ω
, t
j
= 115
°
C (看 图. 5, 6)
接合面 至 fin
t
d
延迟 时间
——
1.0
µ
s
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