©2002 仙童 半导体 公司 fgh20n6s2d / fgp20n6s2d / fgb20n6s2d rev. a1
fgh20n6s2d / fgp20n6s2d / fgb20n6s2d
典型 效能 曲线
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
图示 3. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
5
0
10
25 75 100 125 150
30
20
15
25
V
GE
= 15v
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
7000
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
300 400200100 500 600
0
20
30
15
40
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
Ω
, v
GE
= 15v, l = 500
µ
H
5
10
35
25
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
1
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
20
400
2010
700
100
T
J
= 125
o
c, r
G
= 25
Ω
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 0.27
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
止
)
V
GE
= 15v
T
c =
75
o
C
V
GE
= 10v
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
91112
10
6
90
150
13 14
12
8
60
120
180
210
10 15
4
2
t
SC
I
SC
V
CE
= 390v, r
G
= 25
Ω
, t
J
= 125
o
C
0.50 1.0
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
2
4
1.25 2.0 2.25
8
6
14
T
J
= 25
o
C
0.75
T
J
= 150
o
C
12
1.5 1.75
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
T
J
= 125
o
C
10
2.5 2.75
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
0.50 1.0 1.5 2.0 2.50.75
T
J
= 150
o
C
1.751.25
T
J
= 25
o
C
2.25
0
2
4
8
6
14
12
10
T
J
= 125
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 10v
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