©2002 仙童 半导体 公司 fgh20n6s2d / fgp20n6s2d / fgb20n6s2d rev. a1
fgh20n6s2d / fgp20n6s2d / fgb20n6s2d
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 9. 转变-在 延迟 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 10. 转变-在 上升 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 11. 转变-止 延迟 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 12. 下降 时间 vs 集电级 至 发射级
电流
典型 效能 曲线
(持续)
E
ON2
, 转变-在 活力 丧失 (
µ
j)
150
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
100
200
0
400
246810 140
300
250
350
50
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 10v
12
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
R
G
= 25
Ω
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
E
止
转变-止 活力 丧失 (
µ
j)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 10v, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 10v, v
GE
= 15v
246810 14012
150
100
200
0
350
300
250
50
R
G
= 25
Ω
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(在)i
, 转变-在 延迟 时间 (ns)
6
7
8
9
10
2 4 6 8 10 140
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 10v
11
12
13
12
R
G
= 25
Ω
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
rI
, 上升 时间 (ns)
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 10v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
=15V
2 4 6 8 10 14012
0
5
10
15
20
25
30
35
R
G
= 25
Ω
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
80
60
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(止)i
, 转变-止 延迟 时间 (ns)
140
120
100
V
GE
= 10v, v
GE
= 15v, t
J
= 25
o
C
V
GE
= 10v, v
GE
= 15v, t
J
= 125
o
C
2 4 6 8 10 14012
R
G
= 25
Ω
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
fI
, 下降 时间 (ns)
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 10v 或者 15v
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 10v 或者 15v
2 4 6 8 10 14012
60
40
120
100
80
R
G
= 25
Ω
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
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