SFH601-2_集成电路资料查询网

5–3
SFH601
图示 6.  电流 转移 比率 相比
二极管 电流
(t
一个
=50
°
c) v
CE
=5 v,
I
C
/i
F
=f (i
F
)
图示 7.  电流 转移 比率 相比
二极管 电流
(t
一个
=75
°
c, v
CE
=5 v)
I
C
/i
F
=f (i
F
)
图示 8.  电流 转移 比率 相比
温度
(i
F
=10 毫安, v
CE
=5 v)
I
C
/i
F
=f(t)
图示 9.  晶体管 特性
(hfe =550)
I
C
=f(v
CE
) (t
一个
=25
°
c, i
F
=0)
图示 10. 输出 特性
I
C
=f(v
CE
)(t
一个
=25
°
c)
图示 11.  向前 电压
V
F
=f (i
F
)
图示 12.  集电级 发射级 止-状态
电流
I
CEO
=f (v, t) (t
一个
=25
°
c, i
F
=0
)
图示 13.  饱和 电压 相比
集电级 电流 和 调制
depthsfh601-1
V
CEsat
=f (i
C
) (t
一个
=25
°
c)
图示 14.  饱和 电压 相比
集电级 电流 和 调制
depthsfh601-2
V
CEsat
=f (i
C
) (t
一个
=25
°
c)

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5–3 SFH601 图示 6. 电流转移比率相比二极管电流 (t 一个 =50 ° c) v CE =5 v, I C /i F =f (i F ) 图示 7. 电流转移比率相比二极管电流 (t 一个 =75 ° c, v CE =5 v) I C /i F =f (i F ) 图示 8. 电流转移比率相比温度 (i F =10 毫安, v CE =5 v) I C /i F =f(t) 图示 9. 晶体管特性 (hfe =550) I C =f(v CE ) (t 一个 =25 ° c, i F =0) 图示 10. 输出特性 I C =f(v CE )(t 一个 =25 ° c) 图示 11. 向前电压 V F =f (i F ) 图示 12. 集电级发射级止-状态电流 I CEO =f (v, t) (t 一个 =25 ° c, i F =0 ) 图示 13. 饱和电压相比集电级电流和调制 depthsfh601-1 V CEsat =f (i C ) (t 一个 =25 ° c) 图示 14. 饱和电压相比集电级电流和调制 depthsfh601-2 V CEsat =f (i C ) (t 一个 =25 ° c)

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