VISHAY
sfh615a / sfh6156
文档 号码 83671
rev. 1.6, 20-jul-04
vishay 半导体
www.vishay.com
3
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 (所需的)东西. 典型 values 是 特性 的 the 设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息 仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
输出
Coupler
0
50
100
150
200
0 25 50 75 100 125 150
18483
p –power 消耗 (mw)
tot
Phototransistor
二极管
T
amb
– 包围的 温度 (
c )
图示 1. 容许的 电源 消耗 vs. 包围的 温度
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 60ma V
F
1.25 1.65 V
反转 电流 V
R
= 6.0 v I
R
0.01 10
µ
一个
电容 V
R
= 0 v, f = 1.0 mhz C
O
13 pF
热的 阻抗 R
thja
750 k/w
参数 测试 情况 部分 标识 最小值 典型值. 最大值 单位
集电级-发射级 电容 V
CE
= 5.0 v, f = 1.0 mhz C
CE
5.2 pF
热的 阻抗 R
thja
500 k/w
集电级-发射级 泄漏
电流
V
CE
= 10 v sfh615a-1
sfh6156-1
I
CEO
2.0 50 nA
sfh615a-2
sfh6156-2
I
CEO
2.0 50 nA
sfh615a-3
sfh6156-3
I
CEO
5.0 100 nA
sfh615a-4
sfh6156-4
I
CEO
5.0 100 nA
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-发射级 饱和
电压
I
F
= 10 毫安, i
C
= 2.5 毫安 V
CEsat
0.25 0.4 V
连接 电容 C
C
0.4 pF
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