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资料编号:32727
资料名称:
24N60C3
文件大小: 230.42K
说明
:
介绍
:
CoolMOS Power Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SPW24N60C3
参数
标识
情况
单位
最小值
典型值
最大值
热的 特性
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
-
-
0.52
k/w
R
thJA
含铅的
-
-
62
焊接 温度
T
出售
1.6 mm (0.063 在.)
从 情况 为 10 s
-
-
260
°C
电的 特性,
在
T
j
=25 °c, 除非 否则 指定
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
=0 v,
I
D
=250 µa
600
-
-
V
avalanche 损坏 电压
V
(br)ds
V
GS
=0 v,
I
D
=24.3 一个
-
700
-
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=1.2 毫安
2.1
3
3.9
零 门 电压 流 电流
I
DSS
V
DS
=600 v,
V
GS
=0 v,
T
j
=25 °c
-
0.1
1
µA
V
DS
=600 v,
V
GS
=0 v,
T
j
=150 °c
-
-
100
门-源 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
=20 v,
V
DS
=0 v
-
-
100
nA
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=10 v,
I
D
=15.4 一个,
T
j
=25 °c
-
0.14
0.16
Ω
V
GS
=10 v,
I
D
=15.4 一个,
T
j
=150 °c
-
0.34
-
门 阻抗
R
G
f
=1 mhz, 打开 流
-
0.7
-
跨导
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
ds(在)最大值
,
I
D
=15.4 一个
-24-s
值
热的 阻抗, 接合面 -
包围的
rev. 1.0
页 2
2004-04-27
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