©2001 仙童 半导体 公司 rev. 一个, 将 2001
FJL6920
典型 特性
图示 1. 静态的 特性 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 集电级-发射级 饱和 电压 图示 4. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 5. 根基-发射级 在 电压 图示 6. resistive 加载 切换 时间
0246810
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
B
=4.0a
I
B
=2.0a
I
B
=1.5a
I
B
=1.0a
I
B
=0.5a
I
B
=0.2a
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.1 1 10 100
1
10
100
V
CE
= 5v
ta = 125
o
C
ta = 25
o
C
ta = - 25
o
C
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 3 i
B
ta = 125
o
C
ta = 25
o
C
ta = - 25
o
C
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 5 i
B
ta = 125
o
C
ta = 25
o
C
ta = - 25
o
C
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
CE
= 5v
- 25
o
C
25
o
C125
o
C
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
110
0.01
0.1
1
10
t
F
t
STG
V
CC
= 200v,
I
C
= 10a, i
B1
= 2a
t
STG
&放大; t
F
[
µ
s], 切换 时间
I
B2
[a], 反转 根基 电流