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资料编号:328740
 
资料名称:FLC167WF
 
文件大小: 94.79K
   
说明
 
介绍:
C-Band Power GaAs FET
 
 


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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
版本 1.1
july 1999
FLC167WF
c-带宽 电源 gaas 场效应晶体管
Item
流-源 电压
门-源 电压
总的 电源 消耗
存储 温度
频道 温度
标识
V
DS
V
GS
15
-5
7.5
-65 至 +175
175
T
c
= 25
°
C
V
V
W
°
C
°
C
P
T
T
stg
T
ch
情况 单位
比率
绝对 最大 比率 (包围的 温度 ta=25
°
c)
fujitsu 推荐 这 下列的 情况 为 这 可依靠的 运作 的 gaas fets:
1. 这 流-源 运行 电压 (v
DS
) 应当 不 超过 10 伏特.
2. 这 向前 和 反转 门 电流 应当 不 超过 9.6 和 -1.0 毫安 各自 和
门 阻抗 的 200
.
3. 这 运行 频道 温度 (t
ch
) 应当 不 超过 145
°
c.
Item
saturated 流 电流
跨导
pinch-止 电压
门 源 损坏 电压
电源-增加 效率
输出 电源 在 1db g.c.p.
电源 增益 在 1db g.c.p.
标识
I
DSS
- 600 900
- 300
-
-1.0 -2.0 -3.5
-5
--
6.5 7.5
-
-35
-
30.5 31.8
-
V
DS
= 5v, i
DS
= 30ma
V
DS
= 5v, i
DS
= 400ma
V
DS
= 5v, v
GS
= 0v
I
GS
= -30
µ
一个
频道 至 情况
V
DS
= 10v,
I
DS
=
0.6 i
dss (典型值.),
f = 6 ghz
毫安
mS
V
dB
%
dBm
V
g
m
V
p
V
GSO
P
1dB
G
1dB
η
增加
热的 阻抗
-15
20
°
c/w
R
th
测试 情况 单位
限制
典型值
最大值.最小值.
电的 特性 (包围的 温度 ta=25
°
c)
g.c.p.: 增益 压缩 要点
情况 样式:
WF
描述
这 flc167wf 是 一个 电源 gaas 场效应晶体管 那 是 设计 为 一般
目的 产品 在 这 c-带宽 频率 范围 作 它 提供
更好的 电源, 增益, 和 效率.
fujitsu’s stringent 质量 assurance 程序 assures 这 最高的
可靠性 和 consistent 效能.
特性
• 高 输出 电源: p
1dB
= 31.8dbm(典型值.)
• 高 增益: g
1dB
= 7.5db(典型值.)
• 高 pae:
η
增加
= 35%(典型值.)
• proven 可靠性
• 密封的 metal/陶瓷的 包装
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