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资料编号:328797
 
资料名称:FLL800IQ-2C
 
文件大小: 190.46K
   
说明
 
介绍:
L-Band High Power GaAs FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
fll800iq-2c
l-带宽 高 电源 gaas 场效应晶体管
-50
acpr vs. 输出 电源
36 37 38 39 40 41 42 43 44
-55
-60
-65
-45
-40
-35
-30
-25
输出 电源 (dbm)
acpr (db)
V
DS
= 12v
I
DS
= 2.0a
f
o
= 2.14ghz
w-cdma 单独的 信号
+5MHz
-5mhz
+10MHz
-10mhz
V
DS
= 12v
I
DS
= 2.0a
宽 带宽 tuned
输出 电源 vs. 频率
1.99 2.11 2.17 2.232.05 2.29
42dBm
36dBm
34dBm
32dBm
30dBm
28dBm
26dBm
24dBm
34
36
38
40
42
44
46
48
50
频率 (ghz)
-50
imd vs. 输出 电源
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
-55
-60
-65
-70
-75
-45
-40
-35
-30
输出 电源 (dbm)
imd (dbc)
V
DS
= 12v
I
DS
= 2.0a
f = 2.14ghz
f = 1mhz
宽 带宽 tuned
IM3
IM5
输出 电源 vs. 输入 电源
V
DS
=12V
I
DS
= 2.0a
f = 2.17ghz
宽 带宽 tuned
输入 电源 (dbm)
48
50
46
44
40
38
42
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
36
34
20
10
30
40
50
输出 电源 (dbm)
输出 电源 (dbm)
η
增加
P
输出
η
增加 (%)
40dBm
38dBm
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