©2002 仙童 半导体 公司 fm2g200us60 rev. a1
IGBT
FM2G200US60
绝对 最大 比率
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
注释 :
(1) repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度
标识 描述 FM2G200US60 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 600 V
V
GES
门-发射级 电压
±
20 V
I
C
集电级 电流 @ t
C
= 25
°
C 200 一个
I
cm (1)
搏动 集电级 电流 400 一个
I
F
二极管 持续的 向前 电流 @ t
C
= 100
°
C 200 一个
I
FM
二极管 最大 向前 电流 400 一个
T
SC
短的 电路 承受 时间 @ t
C
= 100
°
C10 美国
P
D
M 一个 x i m u m P o w e r D i s s i p 一个 t i o n @ T
C
= 25
°
C 830 W
T
J
运行 接合面 温度 -40 至 +150
°
C
T
stg
存储 温度 范围 -40 至 +125
°
C
V
iso
分开 电压 @ 交流 1minute 2500 V
挂载
Torque
电源 terminals screw: m5 2.0 n.m
挂载 screw: m6 2.5 n.m
FM2G200US60
塑造 类型 单元
一般 描述
仙童’s insulated 门 双极 晶体管 (igbt) 电源
modules 提供 低 传导 和 切换 losses 作
好 作 短的 电路 强壮. 它们 是 设计 为
产品 此类 作 发动机 控制, uninterrupted 电源
供应 (ups) 和 一般 反相器 在哪里 短的 电路
强壮 是 一个 必需的 特性.
特性
• ul certified 非. e209204
• 短的 电路 评估 10us @ t
C
= 100
°
c, v
GE
= 15v
• 高 cpeed cwitching
• 低 caturation 电压 : v
ce(sat)
= 2.2 v @ i
C
= 200a
• 高 输入 阻抗
• 快 和 软 反对-并行的 fwd
应用
• 交流 &放大; 直流 发动机 控制
• 一般 目的 反相器
• Robotics
• 伺服 控制
•UPS
内部的 电路 图解
C1 E2
G1 E1 G2 E2
e1/c2
包装 代号 : 7pm-bb
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