©2002 仙童 半导体 公司 fm2g200us60 rev. a1
FM2G200US60
11050
1000
10000
100000
Eoff
Eon
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 200a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 丧失 [uj]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
11050
50
100
1000
3000
Tf
Tf
Toff
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 200a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
30 40 60 80 100 120 140 160 180 200
50
100
1000
Toff
Tf
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
R
G
= 1.8
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
30 40 60 80 100 120 140 160 180 200
10
100
1000
Ton
Tr
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
R
G
= 1.8
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
11050
50
100
1000
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 200a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Ton
Tr
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
0.5 1 10 30
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
35000
40000
Cres
Coes
Cies
一般 发射级
V
GE
= 0v, f = 1mhz
T
C
= 25
℃
电容 [pf]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
图 7. 电容 特性 图 8. 转变-在 特性 vs.
门 阻抗
图 9. 转变-止 特性 vs.
门 阻抗
图 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
图 11. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流
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