©2001 仙童 半导体 公司 fm2g400us60 rev. 一个
FM2G400US60
30 100
0.01
0.1
1
400
Comm在 发射级
vcc = 300v
vge =
±
15V
rg = 1.6
Ω
t
r
t
d(在)
: tc = 25
℃
: tc = 125
℃
SW ITCHINGTIM e t
d(在)
, t
r
[
㎲
]
集电级 电流 ic [a]
图 7. 电容 特性 图 8. 转变-在 特性 vs.
门 阻抗
图 9. 转变-止 特性 vs.
门 阻抗
图 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
图 11. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流
11030
1000
10000
100000
Cres
Coes
Cies
一般 发射级
vge = 0v
f = 1mhz
tc = 25
℃
电容 c [pf]
集电级-发射级 电压 v
CE
[V ]
110
0.3
1
t
r
t
d(在)
: t c = 2 5
℃
: t c = 1 2 5
℃
Com m 在 em itter
vcc = 300v
vge =
±
15V
ic = 400a
S W 它 C H 在 G T IM E t
在
, t
n
[
㎲
]
门 阻抗 rg [
Ω
]
110
0.05
0.1
1
t
f
t
d(止)
: tc = 25
℃
: tc = 125
℃
Comm在 emitter
vcc = 300v
vge =
±
15V
ic = 400a
SW 它CH在G TIM e t
止
, t
f
[
㎲
]
门 阻抗 r
G
[
Ω
]
0 5 10 15 20
0
20
40
60
80
100
Eoff
Eon
Esw
vcc = 300v
ic = 400a
EN E R G Y [m J]
G 一个 T E - e M 它 T E R R E S 是 T 一个 N C E R g[
Ω
]
40 100
0.05
0.1
1
400
t
f
t
d(止)
: tc =25
℃
: tc =125
℃
C om m 在Em itter
vcc = 300v
vge =
±
15V
rg = 1.6
Ω
SWitching 时间 t
d(止)
, t
f
[
㎲
]
集电级 电流 ic [a]
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