©2001 仙童 半导体 公司 fm2g400us60 rev. 一个
FM2G400US60
图 14. 门 承担 特性
图 13. 切换 丧失 vs. 集电级 电流
图 15. soa 特性
图 16. 瞬时 热的 阻抗
图 17. rbsoa 特性 图 18. 瞬时 热的 阻抗
0 100 200 300 400
0
20
40
60
80
Eoff
Eon
Esw
vcc = 300v
rg = 1.6
Ω
tc = 125
℃
EN E RG y [m J]
C O LLEC TO R - e M 它 T ER C U R R EN T Ic[A ]
0 500 1000 1500
0
100
200
300
400
一般 发射级
rl = 0.75
Ω
tc = 25
℃
承担 q
G
[nC]
集电级-发射级 电压 v
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
门-发射级 电压 v
GE
[V]
0.3 1 10 100 1000
3
10
100
1000
300
50
㎲
100
㎲
1ms
直流 运作
ic 最大值 (持续的)
ic 最大值 (搏动)
30
300303
集电级 电流 ic [a]
集电级-发射级 电压 v
CE
[V]
0 100 200 300 400 500 600 700
0
200
400
600
800
1000
Tj
≤
125
℃
vge =
±
15V
rg = 1.6
Ω
集电级 电流 ic [a]
集电级-发射级 电压 v
CE
[V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1e-4
1e-3
0.01
0.1
1
igbt 平台
tc = 25
℃
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
T herm al r espon se [zthjc] [
℃
/w ]
rectangular 脉冲波 duration [sec]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
3e-4
1e-3
0.01
0.1
1
二极管 平台
tc = 25
℃
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
T herm al r espon se [zthjc] [
℃
/w ]
rectangular 脉冲波 duration [sec]
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