Ramtron FM24CL64
9将2001 7/7
图示 7 电流 地址 读
S 一个从动装置 地址 1 数据 字节 1 P
用 主控
用 fm24cl64
开始 地址
停止
Acknowledge
非
Acknowledge
数据
图示 8 sequential 读
S 一个从动装置 地址 1 数据 字节 1 P
用 主控
用 fm24cl64
开始 地址
停止
Acknowledge
非
Acknowledge
数据
数据 字节一个
Acknowledge
图示 9 选择性的 (随机的) 读
S 一个从动装置 地址 1 数据 字节 1 P
用 主控
用 fm24cl64
开始 地址
停止
非
Acknowledge
数据
S 一个从动装置 地址 0 地址 msb 一个
开始
地址
Acknowledge
地址 lsb 一个
产品
clearly 这 力量 的 高等级的 写 忍耐力 和
faster 写 制造 fram 更好的 至 可擦可编程只读存储器 在 所有
但是 一个-时间 可编程序的 产品. 这
有利因素 是 大多数 obvious 在 数据 collection
环境 在哪里 写 是 frequent 和 数据
必须 是 nonvolatile, 但是这 益处 联合的 在 其它
方法.一个 短的 列表 的 ideas 是 提供 here.
1. 数据 collection. 在 产品 在哪里 数据 是
collected 和 saved, fram 提供 一个 更好的
alternative 至 其它 解决方案. 它 是 更多 费用 有效的
比 电池 backup 为 sram 和 提供 更好的
写 attributes 比 可擦可编程只读存储器.
2. 配置. 任何 nonvolatile 记忆 能
retain 一个 配置. 不管怎样, 如果 这 配置
改变 和 电源 失败 是 一个 possibility, 这 高等级的
写 忍耐力 的 fram 准许 改变 至 是
recorded 没有 restriction. 任何 时间 这 系统
状态 是 改变, 这 改变 能 是 写. 这个 避免
writing 至 记忆 在 电源 向下 当 这
有 时间 是 短的 和 电源 scarce.
3. 高 噪音 环境. writing 至 可擦可编程只读存储器
在 一个 嘈杂的 环境c一个 是 challenging. 当
severe 噪音 或者 电源 fluctuations 是 呈现, 这
长 写 时间 的 可擦可编程只读存储器 creates 一个 window 的
vulnerability 在 这个 这 写 能 是
corrupted. 这 快 写 的 fram 是 完全
在里面 一个 microsecond. 这个 时间 是 典型地too 短的
为 噪音 或者 电源 fluctuation 至 disturb 它.
4. 时间 至 market. 在 一个 complex 系统, 多样的
软件 routines 将 需要 至 进入 这 nonvolatile
记忆. 在 这个 环境 这 时间 延迟
有关联的 和 程序编制 可擦可编程只读存储器 adds undue
complexity 至 这 软件 开发. 各自
软件 routine 必须 wait 为 完全
程序编制 在之前 准许 进入 至 这 next
routine.
5. rf/id. 在 这 范围 的 非接触式的 记忆,
fram 提供 一个 完美的 解决方案. 自从 rf/id
记忆 是 powered 用 一个 rf 地方, 这 长
程序编制 时间 和 高 电流 消耗量
需要 至 写 可擦可编程只读存储器 是 unattractive. fram
提供 一个 更好的 解决方案. 这 fm24cl64 是
合适的 为 multi-碎片 rf/id 产品.
6. maintenance 追踪. 在 sophisticated 系统,
这 运行 history 和 系统 状态 在 一个 失败
是 重要的 知识. maintenance 能 是
expedited 当 这个 信息 有 被 recorded.
预定的 至 这 高 写 忍耐力, fram 制造 一个
完美的 系统 log. 在 增加, 这 便利的2-线
接口 的 这 fm24cl64 准许 记忆 至 是
distributed 全部地 这 系统 使用 minimal
额外的 resources.
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