©2001 仙童 半导体 公司 fmbl1g300us60 rev. 一个
FMBL1G300US60
30 60 90 120 150 180 210 240 270 300
50
100
1000
Toff
Tf
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
R
G
= 1.8
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
30 60 90 120 150 180 210 240 270 300
10
100
1000
Ton
Tr
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
R
G
= 1.5
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
11050
1000
10000
100000
Eoff
Eon
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 300a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 丧失 [uj]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
11050
50
100
1000
3000
Tf
Toff
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 300a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
11050
50
100
1000
2000
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 300a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Ton
Tr
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
0.5 1 10 30
0
10000
20000
30000
40000
50000
Cres
Coes
Cies
一般 发射级
V
GE
= 0v, f = 1mhz
T
C
= 25
℃
电容 [pf]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
图 7. 电容 特性 图 8. 转变-在 特性 vs.
门 阻抗
图 9. 转变-止 特性 vs.
门 阻抗
图 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
图 11. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流