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©2001 仙童 半导体 公司 fmc6g20us60 rev. a3
FMC6G20US60
图 14. 门 承担 特性
图 13. 切换 丧失 vs. 集电级 电流
图 15. soa 特性
图 16. 转变-止 soa 特性
图 17. rbsoa 特性
图 18. 瞬时 热的 阻抗
10 15 20 25 30 35 40
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 10
Ω
T
C
=   25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
切换 丧失 [uj]
集电级 电流, i
C
[A]
1 10 100 1000
1
10
100
safe 运行 范围
V
GE
= 20v, t
C
= 100
℃
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]
0.3 1 10 100 1000
0.01
0.1
1
10
100
单独的 nonrepetitive
脉冲波 t
C
= 25
℃
曲线 必须 是 derated
成直线地 和 增加
在 温度
50us
100us
1
㎳
直流 运作
I
C
最大值 (持续的)
I
C
最大值 (搏动)
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]
0 102030405060
0
3
6
9
12
15
300 v
200 v
V
CC
= 100 v
一般 发射级
R
L
= 15
Ω
T
C
= 25
℃
门 - 发射级 电压,  v
GE
[ v ]
门 承担,  q
g
[ nc ]
0 100 200 300 400 500 600 700
0.1
1
10
80
单独的 nonrepetitive
脉冲波 t
J
≤
125
℃
V
GE
=  15v
R
G
= 10
Ω
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
igbt    : 
二极管 :
热的 回馈, zthjc [
℃
/w]
rectangular 脉冲波 持续时间 [sec]

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©2001 仙童半导体公司 fmc6g20us60 rev. a3 FMC6G20US60 图 14. 门承担特性图 13. 切换丧失 vs. 集电级电流图 15. soa 特性图 16. 转变-止 soa 特性图 17. rbsoa 特性图 18. 瞬时热的阻抗 10 15 20 25 30 35 40 100 1000 Eoff Eon Eoff 一般发射级 V GE = ± 15v, r G = 10 Ω T C = 25 ℃ ━━ T C = 125 ℃ ------ 切换丧失 [uj] 集电级电流, i C [A] 1 10 100 1000 1 10 100 safe 运行范围 V GE = 20v, t C = 100 ℃ 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V] 0.3 1 10 100 1000 0.01 0.1 1 10 100 单独的 nonrepetitive 脉冲波 t C = 25 ℃ 曲线必须是 derated 成直线地和增加在温度 50us 100us 1 ㎳直流运作 I C 最大值 (持续的) I C 最大值 (搏动) 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V] 0 102030405060 0 3 6 9 12 15 300 v 200 v V CC = 100 v 一般发射级 R L = 15 Ω T C = 25 ℃ 门 - 发射级电压, v GE [ v ] 门承担, q g [ nc ] 0 100 200 300 400 500 600 700 0.1 1 10 80 单独的 nonrepetitive 脉冲波 t J ≤ 125 ℃ V GE = 15v R G = 10 Ω 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V] 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 0.01 0.1 1 10 igbt : 二极管 : 热的回馈, zthjc [ ℃ /w] rectangular 脉冲波持续时间 [sec]

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