首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:330243
 
资料名称:FME-2104
 
文件大小: 85.22K
   
说明
 
介绍:
Schottky Barrier Diodes
 
 


: 点此下载
  浏览型号FME-2104的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号FME-2104的Datasheet PDF文件第2页
2

3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
93
30
60
150
120
90
0
1 5 50
20ms
fmb-34
fmj-23l
fme-230a
fme-220a
60
120
300
240
180
0
1 5 50
20ms
fmb-34m
0
80 110 130
3
6
9
12
15
12090 100
t/t 1/3
=
t/t 1/2
=
d.c.
t/t 1/6
=
Sinewave
t/t 1/3
=
t/t 1/2
=
d.c.
t/t 1/6
=
Sinewave
0
40 100 140
6
12
18
24
30
12060 80
50
10
1
0.1
0.001
0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
100
10
1
0.1
0.01
02040 8060
T
一个
125
°
C
=
100
°
C
28
°
C
100
°
C
T
一个
125
°
C
=
60
°
C
28
°
C
60
°
C
20
10
1
0.1
0.001
0.01
00.30.20.1 0.50.4 0.6
500
100
10
1
0.1
0.01
0204050706010 30
T
一个
125
°
C
=
100
°
C
22
°
C
100
°
C
T
一个
125
°
C
=
60
°
C
26
°
C
60
°
C
0246 810
0
2
4
6
8
10
t/t =1/3, sinewave
t/t=1/2
d.c.
t/t=1/6
T
t
Tj=150
º
C
Sinewave
d.c.
t/t=1/3
t/t=1/6
50 70 90 110 130 150
0
2
4
6
8
V
R
=30V
10
T
t
Tj=150
º
C
t/t=1/2
0 0.1 0.2 0.40.3 0.60.5
0.001
1
0.1
0.01
10
100
Ta=150
°
C
125
°
C
100
°
C
60
°
C
25
°
C
Ta=150
°
C
125
°
C
100
°
C
60
°
C
25
°
C
0 0.4 0.8 1.2 1.6
0.001
1
0.1
0.01
10
100
0 5 10 15 3020 25
0
5
10
15
35
25
30
20
t/t=1/6
t/T =1/3, sinewave
t/t=1/2
d.c.
T
t
Tj=150
º
C
0 50 100 150
0
5
10
20
15
25
V
R
=100V
30
t/t=1/3
t/t=1/6
Sinewave
t/t=1/2
d.c.
T
t
Tj=150
º
C
Ta=150
°
C
125
°
C
100
°
C
60
°
C
25
°
C
0 0.4 0.8 1.2 1.6
0.001
1
0.1
0.01
10
100
0 5 10 15 20
0
5
10
15
25
20
t/t=1/6
t/T =1/3, sinewave
t/t=1/2
d.c.
T
t
Tj=150
º
C
0 50 100 150
0
4
8
12
16
V
R
=100V
20
T
t
Tj=150
º
C
t/t=1/3
t/t=1/6
Sinewave
t/t=1/2
d.c.
Ta=150
°
C
125
°
C
100
°
C
60
°
C
25
°
C
020 806040 100
0.0001
0.001
1
0.1
0.01
10
100
I
FSM
(一个) I
FSM
(一个)
Tc
I
f (av)
减额
情况 温度 tc
(
°
c)
平均 向前 电流 i
f(av)
(一个)
反转 电压 v
R
(v)
反转 电流 i
R
(毫安)
V
R
I
R
特性
(典型)
向前 电压 v
F
(v)
向前 电流 i
F
(一个)
V
F
I
F
特性
(典型)
平均 向前 电流 i
f(av)
(一个)
向前 电源 丧失 p
F
(w)
I
f(av)
P
F
特性
Tc
I
f (av)
减额
情况 温度 tc
(
°
c)
平均 向前 电流 i
f(av)
(一个)
向前 电压 v
F
(v)
向前 电流 i
F
(一个)
V
F
I
F
特性
(典型)
平均 向前 电流 i
f(av)
(一个)
向前 电源 丧失 p
F
(w)
I
f(av)
P
F
特性
Tc
I
f (av)
减额
情况 温度 tc
(
°
c)
平均 向前 电流 i
f(av)
(一个)
向前 电压 v
F
(v)
向前 电流 i
F
(一个)
V
F
I
F
特性
(典型)
平均 向前 电流 i
f(av)
(一个)
向前 电源 丧失 p
F
(w)
I
f(av)
P
F
特性
Tc
I
f (av)
减额
情况 温度 tc
(
°
c)
平均 向前 电流 i
f(av)
(一个)
反转 电压 v
R
(v)
反转 电流 i
R
(毫安)
V
R
I
R
特性
(典型)
向前 电压 v
F
(v)
向前 电流 i
F
(一个)
V
F
I
F
特性
(典型)
overcurrent 循环
顶峰 向前 surge 电流 i
FSM
(一个)
I
FMS
比率
Tc
I
f (av)
减额
情况 温度 tc
(
°
c)
平均 向前 电流 i
f(av)
(一个)
反转 电压 v
R
(v)
反转 电流 i
R
(毫安)
V
R
I
R
特性
(典型)
向前 电压 v
F
(v)
向前 电流 i
F
(一个)
V
F
I
F
特性
(典型)
overcurrent 循环
顶峰 向前 surge 电流 i
FSM
(一个)
I
FMS
比率
典型的 曲线
肖特基 屏障 二极管
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com