©2002 仙童 半导体 公司 fmg1g50us60h rev. 一个
FMG1G50US60H
电的 特性 的 igbt
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压 V
GE
= 0v, i
C
= 250ua 600 -- -- V
∆
B
VCES
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 损坏
电压
V
GE
= 0v, i
C
= 1ma -- 0.6 -- v/
°
C
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v -- -- 250 uA
I
GES
g-e 泄漏 电流 V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v -- --
±
100 nA
在 特性
V
ge(th)
g-e 门槛 电压 V
GE
= 0v, i
C
= 50ma 5.0 6.0 8.5 V
V
ce(sat)
集电级 至 发射级
饱和 电压
I
C
= 50a
,
V
GE
= 15v
-- 2.2 2.8 V
动态 特性
C
ies
输入 电容
V
CE
= 30v
,
V
GE
= 0v,
f = 1mhz
-- 3460 -- pF
C
oes
输出 电容 -- 480 -- pF
C
res
反转 转移 电容 -- 140 -- pF
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 300 v, i
C
= 50a,
R
G
= 5.9
Ω
, v
GE
= 15v
inductive 加载, t
C
= 25
°
C
-- 20 -- ns
t
r
上升 时间 -- 30 -- ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 60 -- ns
t
f
下降 时间 -- 110 200 ns
E
在
转变-在 切换 丧失 -- 1.1 -- mJ
E
止
转变-止 切换 丧失 -- 1.2 -- mJ
E
ts
总的 切换 丧失 -- 2.3 -- mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 300 v, i
C
= 50a,
R
G
= 5.9
Ω
, v
GE
= 15v
inductive 加载, t
C
= 125
°
C
-- 20 -- ns
t
r
上升 时间 -- 30 -- ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 70 -- ns
t
f
下降 时间 -- 250 -- ns
E
在
转变-在 切换 丧失 -- 1.2 -- mJ
E
止
转变-止 切换 丧失 -- 2.4 -- mJ
E
ts
总的 切换 丧失 -- 3.6 -- mJ
T
sc
短的 电路 承受 时间
V
CC
= 300 v, v
GE
= 15v
@
T
C
= 100
°
C
10 -- -- 美国
Q
g
总的 门 承担
V
CE
= 300 v, i
C
= 50a,
V
GE
= 15v
-- 145 210 nC
Q
ge
门-发射级 承担 -- 28 40 nC
Q
gc
门-集电级 承担 -- 65 95 nC