©2003 仙童 半导体 公司 fmg2g200us60 rev. 一个
FMG2G200US60
一般 cathode
V
GE
= 0v
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
一般 发射级
I
C
= 200a
V
CC
= 300v
T
C
= 25
o
C
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 2
Ω
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 2
Ω
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 2
Ω
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Ω
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 200a
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
图 7. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
图 8. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 11. 门 承担 特性 图 12. 向前 特性(二极管)
图 9. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流
图 10. 切换 丧失 vs. 集电级 电流