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资料编号:330452
 
资料名称:FMMT459TA
 
文件大小: 169.74K
   
说明
 
介绍:
450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
 
 


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FMMT459
公布 2 - 12月 2001
3
电的 特性 (在 T
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
*measured 下面 plused 情况. 脉冲波 宽度 = 300
µ
s. Dury 循环 <2%
nb. 电压 产品, 适合的 工业 sector 指导原则 应当
考虑 和 regards 至 电压 间隔 在 terminals.
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
集电级-根基
损坏 电压
V
(br)cbo
500 700 V
I
C
= 100
µ
一个
集电级-发射级
损坏 电压
V
ceo(sus)
450 500 V I
C
= 10mA*
发射级-根基
损坏 电压
V
(br)ebo
58 V
I
E
= 100
µ
一个
集电级 截-止
电流
I
CBO
100 nA V
CB
= 450V
发射级 截-止 电流 I
EBO
100 nA V
EB
=5V
集电级 发射级
截-止 电流
I
CES
100 nA V
CE
= 450V
集电级 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
60
70
75
90
mV
mV
I
C
= 20ma, I
B
= 2mA*
I
C
= 50ma, I
B
= 6mA*
根基-发射级 饱和
电压
V
是(sat)
.76 .9 V I
C
= 50ma, I
B
= 5mA*
根基-发射级 转变-在
电压
V
是(在)
.71 .9 V I
C
= 50ma, V
CE
= 10V*
静态的 向前 电流
转移 比率
H
FE
50 120
70
I
C
= 30ma, V
CE
= 10V*
I
C
= 50ma, V
CE
= 10V*
转变 频率 f
T
50 MHz I
C
= 10ma, V
CE
= 20V
F = 20MH
Z
输出 电容 C
OBO
5
P
FV
CB
= 20v, f = 1MH
Z
转变-在 时间 t
(在)
113 ns I
C
= 50ma, V
C
= 100V
I
B1
= 5ma, I
B2
= 10mA
转变-止 时间 t
(止)
3450 ns I
C
= 50ma, V
C
= 100V
I
B1
= 5ma, I
B2
= 10mA
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