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MHz150
I
C
=50毫安,v
CE
= 10 v,f=100MHz
Transition frequency
f
T
pF15
V
CB
= 10 v,I
E
= 0, f =1MHz
输出 电容
C
obo
小 信号 特性
V1
I
C
= 1 一个,V
CE
= 2 v
根基-发射级 在 电压
V
是(在)
V1.25
I
C
= 1 一个,I
B
= 100毫安
根基-发射级 饱和 电压
V
是(sat)
mV
V
500
1.0
I
C
= 1 一个,I
B
= 100毫安
I
C
= 2 一个,I
B
= 200毫安
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
-
300
70
100
80
40
I
C
= 50毫安,V
CE
= 2v
I
C
= 500毫安,V
CE
= 2v
I
C
= 1a,V
CE
= 2v
I
C
= 2a,V
CE
= 2v
直流 电流 增益
h
FE
在特性
*
n一个
100
V
EB
= 4v
发射级 截止 电流
I
EBO
n一个
uA
100
10
V
CB
= 40 v
V
CB
= 40 v,Ta=100°C
集电级 截止 电流
I
CBO
V5
I
E
= 100
µ
一个
发射级-根基 损坏 电压
BV
EBO
V50
I
C
=1毫安
集电级-根基 损坏 电压
BV
CBO
V30
I
C
= 10毫安
集电级-发射级 损坏 电压
BV
CEO
止 特性
单位最大值最小值测试 情况参数标识
NPN低 饱和 transi贮存
(持续)
电的 特性
T
一个 = 25°c 除非 否则 指出
*Pulse测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%
页2的  2

1998FairchildSemiconducto公司
fmmt449.lwpPrNBrev一个
FMMT449

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MHz150 I C =50毫安,v CE = 10 v,f=100MHz Transition frequency f T pF15 V CB = 10 v,I E = 0, f =1MHz 输出电容 C obo 小信号特性 V1 I C = 1 一个,V CE = 2 v 根基-发射级在电压 V 是(在) V1.25 I C = 1 一个,I B = 100毫安根基-发射级饱和电压 V 是(sat) mV V 500 1.0 I C = 1 一个,I B = 100毫安 I C = 2 一个,I B = 200毫安集电级-发射级饱和电压 V ce(sat) - 300 70 100 80 40 I C = 50毫安,V CE = 2v I C = 500毫安,V CE = 2v I C = 1a,V CE = 2v I C = 2a,V CE = 2v 直流电流增益 h FE 在特性 * n一个 100 V EB = 4v 发射级截止电流 I EBO n一个 uA 100 10 V CB = 40 v V CB = 40 v,Ta=100°C 集电级截止电流 I CBO V5 I E = 100 µ 一个发射级-根基损坏电压 BV EBO V50 I C =1毫安集电级-根基损坏电压 BV CBO V30 I C = 10毫安集电级-发射级损坏电压 BV CEO 止特性单位最大值最小值测试情况参数标识 NPN低饱和 transi贮存 (持续) 电的特性 T 一个 = 25°c 除非否则指出 *Pulse测试: 脉冲波宽度 ≤ 300 µ s, 职责循环 ≤ 2.0% 页2的 2  1998FairchildSemiconducto公司 fmmt449.lwpPrNBrev一个 FMMT449

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