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资料编号:330533
 
资料名称:FMMT620
 
文件大小: 294.9K
   
说明
 
介绍:
SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
 
 


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公布 1 - january 2001
FMMT620
2
热的 阻抗
参数 标识 VALUE 单位
接合面 包围的 (一个) R
θ
JA
200 °c/w
接合面 包围的 (b) R
θ
JA
155 °c/w
注释
(一个) 为 一个 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜,
在 安静的 空气 情况
(b) 为 一个 设备 表面 挂载 在 fr4 pcb 量过的 在 t
5 secs.
绝对 最大 比率.
参数 标识 限制 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
80 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
80 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
5A
持续的 集电级 电流 I
C
1.5 一个
根基 电流 I
B
500 毫安
电源 消耗 TA=25°C (一个)
直线的 减额 因素
P
D
625
5
mW
mw/°c
电源 消耗 TA=25°C (b)
直线的 减额 因素
P
D
806
6.4
mW
mw/°c
运行 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
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