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资料编号:330533
 
资料名称:FMMT620
 
文件大小: 294.9K
   
说明
 
介绍:
SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
 
 


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公布 1 - january 2001
FMMT620
4
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 损坏
电压
V
(br)cbo
100 180 V I
C
=100
一个
集电级-发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
80 110 V I
C
=10mA*
发射级-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
78 VI
E
=100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
100 nA V
CB
=80V
发射级 截-止 电流 I
EBO
100 nA V
EB
=5.5v
集电级 发射级 截-止 电流 I
CES
100 nA V
CES
=80V
集电级-发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
15
45
145
160
20
60
185
200
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.1a, I
B
=10mA*
I
C
=0.5a, I
B
=50mA*
I
C
=1a, I
B
=20mA*
I
C
=1.5a, I
B
=50mA*
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
0.86 1.0 V I
C
=1.5a, I
B
=50mA*
根基-发射级 转变-在 电压 V
是(在)
0.82 0.95 V I
C
=1.5a, V
CE
=2V*
静态的 向前 电流 转移
比率
h
FE
200
300
110
60
20
450
450
170
90
30
10
900
I
C
=10ma, V
CE
=2V*
I
C
=200ma, V
CE
=2V*
I
C
=1a, V
CE
=2V*
I
C
=1.5a, V
CE
=2V*
I
C
=3a, V
CE
=2V*
I
C
=5a, V
CE
=2V*
转变 频率 f
T
100 160 MHz I
C
=50ma, V
CE
=10V
f=100MHz
输出 电容 C
obo
11.5 18 pF V
CB
=10v, f=1MHz
转变-在 时间 t
(在)
86 ns V
CC
=10v, I
C
=500mA
I
B1
=I
B2
=25mA
转变-止 时间 t
(止)
1128 ns
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度
300
µ
s. 职责 循环
2%
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