FMS6G10US60_集成电路资料查询网

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fms6g10us60 rev. b1
fms6g10us60  紧凑的 &放大; complex 单元
典型 效能 特性
(持续)
图示 7. 电容 特性 图示 8. 转变-在 特性 vs. 门
阻抗
图示 9. 转变-止 特性 vs. 图示 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
门 阻抗
图示 11. 转变-在 特性 vs. 图示 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流 集电级 电流
一般 发射级
V
CC
= 300 v, v
GE
= ± 15 v
I
C
= 10 一个
T
C
=   25 
℃℃℃
T
C
= 125 ------
℃
Ω
一般 发射级
V
GE
= 0 v, f = 1 mhz
T
C
= 25
o
C
一般 发射级
V
CC
= 300 v, v
GE
= ± 15 v
I
C
= 10 一个
T
C
=   25 
℃℃℃
T
C
= 125 ------
℃
Ω]
一般 发射级
V
CC
= 300 v, v
GE
= ± 15 v
I
C
= 10 一个
T
C
=   25 
℃℃℃
T
C
= 125 ------
℃
Ω
一般 发射级
V
GE
= ± 15 v, r
G
= 20
Ω
T
C
=   25 
℃℃℃
T
C
= 125 ------
℃
一般 发射级
V
GE
= ± 15 v, r
G
= 20
Ω
T
C
=   25 
℃℃℃
T
C
= 125 ------
℃

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6 www.fairchildsemi.com fms6g10us60 rev. b1 fms6g10us60 紧凑的 &放大; complex 单元典型效能特性 (持续) 图示 7. 电容特性图示 8. 转变-在特性 vs. 门阻抗图示 9. 转变-止特性 vs. 图示 10. 切换丧失 vs. 门阻抗门阻抗图示 11. 转变-在特性 vs. 图示 12. 转变-止特性 vs. 集电级电流集电级电流一般发射级 V CC = 300 v, v GE = ± 15 v I C = 10 一个 T C = 25 ℃℃℃ T C = 125 ------ ℃ Ω 一般发射级 V GE = 0 v, f = 1 mhz T C = 25 o C 一般发射级 V CC = 300 v, v GE = ± 15 v I C = 10 一个 T C = 25 ℃℃℃ T C = 125 ------ ℃ Ω] 一般发射级 V CC = 300 v, v GE = ± 15 v I C = 10 一个 T C = 25 ℃℃℃ T C = 125 ------ ℃ Ω 一般发射级 V GE = ± 15 v, r G = 20 Ω T C = 25 ℃℃℃ T C = 125 ------ ℃ 一般发射级 V GE = ± 15 v, r G = 20 Ω T C = 25 ℃℃℃ T C = 125 ------ ℃

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