初步的 数据 薄板
FP750SOT343
PACKAGEDLOWNOISE,MEDIUMPOWERPHEMT
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特性
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0.5 db 噪音 图示 在 2 ghz
♦
21 dbm p-1db 2 ghz
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17 db 电源 增益 在 2 ghz
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33 dbm ip3 在 2 ghz
♦
45% 电源-增加-效率
•
描述 和 产品
这 fp750sot343 是 一个 packaged algaas/ingaas/algaas pseudomorphic 高 electron mobility
晶体管 (phemt) 将 为 产品 需要 低 噪音 图示, 中等 输出 电源
和/或者 高 动态 范围. 它 运用 一个0.25
µ
mx750
µ
m 肖特基 屏障 门, 定义 用
electron-beam photolithography. 这 fp750’s 起作用的 areas 是 钝化的 和 si
3
N
4
, 和 这
sot343 (也 知道 作 sc-70) 包装 是 完美的 为 低-费用, 高-效能 产品 那
需要 一个 表面-挂载 包装.
这 fp750sot343 是 设计 为 商业的 系统 为 使用 在 低 噪音 放大器 和
oscillators 运行 在 这 rf 和 微波 频率 范围. 这 低 噪音 图示 制造 它
适合的 为 使用 在 接受者 在 wll/rll, wlan, 和 gps. 这个 设备 是 也 合适的 为
pcs 和 gsm 根基 station front-ends.
•
电的 规格 @ t
包围的
=25
°
C
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
saturated 流-源 电流 I
DSS
V
DS
= 2v; v
GS
= 0V 180 220 265 毫安
电源 在 1-db 压缩 p-1db f=2ghz; v
DS
=3.3 v; i
DS
= 110ma 20 21 dBm
电源 增益 在 1-db 压缩 g-1db f=2ghz; v
DS
=3.3 v; i
DS
= 110ma 16 17 dB
电源-增加 效率 PAE f=2ghz; v
DS
=3.3 v;
I
DS
= 110ma; p
输出
= 21 dbm
45 %
f=2ghz; v
DS
=3.3v; 40ma 0.4 dB
f=2ghz; v
DS
=3.3v; i
DS
= 60ma 0.5 dB
噪音 图示 NF
f=2ghz; v
DS
=3.3v; 110ma 0.7 dB
输出 第三-顺序 intercept 要点 IP3 V
DS
=3.3v; i
DS
= 110ma 33 dBm
跨导 G
M
V
DS
= 2v; v
GS
= 0V 170 220 mS
门-源 泄漏 电流 I
GSO
V
GS
= -5V 5 35
µ
一个
pinch-止 电压 V
P
V
DS
= 2v; i
DS
= 2毫安 -1.2 V
门-源 损坏
电压 巨大
|V
BDGS
| I
GS
= 2毫安 10 12 V
门-流 损坏
电压 巨大
|V
BDGD
| I
GD
= 2毫安 10 13 V
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