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资料编号:331306
 
资料名称:IRFP9150
 
文件大小: 59.82K
   
说明
 
介绍:
25A, 100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET
 
 


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4-67
图示 10. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
图示 12. 跨导 vs 流 电流 图示 13. 源 至 流 二极管 电压
图示 14. 门 至 源 电压 vs 门 承担
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
0.75
0.85
0.95
1.05
1.15
1.25
normalized 流 至 源
-40 0 40 80 120 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
I
D
= 250
µ
一个
损坏 电压
4000
4500
2500
1000
500
0
c, 电容 (pf)
-10 -20 -30 -40
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
3500
3000
2000
1500
-50
C
OSS
C
RSS
C
ISS
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
V
GS
= 0v, f = 1mhz
3
6
9
12
15
g
fs,
跨导 (s)
0 -10 -20 -30 -40 -50
I
D
, 流 电流 (一个)
25
o
C
150
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
100
10
1
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7
V
SD
, 源 至 流 电压 (v)
I
SD
, 流 电流 (一个)
25
o
C
150
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
-5
-10
-15
-20
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
0 20 80 140 160 180
Q
g(tot)
, 总的 门 承担 (nc)
1201006040
V
DS
= -20v
I
D
= -25a
V
DS
= -80v
V
DS
= -50v
IRFP9150
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