©2003 仙童 半导体 公司
FPBL30SL60
rev. c1, 将 2003
绝对 最大 比率
热的 阻抗
便条
2. 为 这 度量 要点 的 情况 温度 (t
c
), 请 谈及 至 图. 4.
电的 特性
反相器 部分
(t
j
= 25°c, 除非 否则 指定)
便条
3. t
在
和 t
止
包含 这 传播 延迟 时间 的 这 内部的 驱动 ic. t
c(在)
和 t
c(止)
是 这 切换 时间 的 igbt 它自己 下面 这 给 门 驱动 情况
内部. 为 这 详细地 信息, 请 看 图. 5.
Item 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
接合面 至 情况 热的
阻抗
R
th(j-c)q
各自 igbt 下面 反相器 运行 情况
(便条 2)
--2.2°c/w
R
th(j-c)f
各自 fwdi 下面 反相器 运行 情况
(便条 2)
- - 3.18 °c/w
联系 热的
阻抗
R
th(c-f)
陶瓷的 基质 (每 1 单元)
热的 grease 应用
- - 0.06 °c/w
Item 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 - 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
V
CC
= v
BS
= 15v
V
在
= 0v
I
C
= 30a, t
j
= 25°c - - 2.5 V
I
C
= 30a, t
j
= 125°c - - 2.6 V
fwdi 向前 电压 V
FM
V
在
= 5v I
C
= 30a, t
j
= 25°c - - 2.6 V
I
C
= 30a, t
j
= 125°c - - 2.4 V
切换 时间 t
在
V
PN
= 300v, v
CC
= v
BS
= 15v
I
C
= 30a, t
j
= 25°c
V
在
= 5v
↔
0v, inductive 加载
(高-低 一侧)
(便条 3)
-0.45-
µ
s
t
c(在)
-0.18-
µ
s
t
止
-0.9-
µ
s
t
c(止)
-0.36-
µ
s
t
rr
-0.1-
µ
s
集电级 - 发射级
泄漏 电流
I
CES
V
CE
= v
CES
, t
j
= 25°c - - 250
µ
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